VACUUM DEPOSITION PROCESS

In order to deposit films of materials, such as polysilicon or silicon dioxide, on major surfaces of substrates (7) by a low-pressure chemical vapour deposition (LPCVD) process, gas, such as a silane gas, is admitted to chamber (1) at one end and is pumped through the chamber by a pump (4). The subs...

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1. Verfasser: MEAKIN, DOUGLAS, BOYD
Format: Patent
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:In order to deposit films of materials, such as polysilicon or silicon dioxide, on major surfaces of substrates (7) by a low-pressure chemical vapour deposition (LPCVD) process, gas, such as a silane gas, is admitted to chamber (1) at one end and is pumped through the chamber by a pump (4). The substrates are mounted such that the general direction of gas flow is perpendicular to the substrate major surface, and are heated to cause reaction of the gas to form the required film. In order to achieve uniformity of the deposited films over a number of substrates, the pressure in the deposition chamber is maintained below 10mTorr. Pour déposer des films constitués par des matériaux tels que du polysilicium ou du dioxyde de silicium sur des grandes surfaces de substrats (7) par un procédé de dépôt en phase gazeuse par voie chimique à basse pression (LPCVD), du gaz tel que du gaz de silane est admis dans une chambre à une extrémité et est pompé à travers la chambre par une pompe (4). Les substrats sont montés de sorte que la direction générale du courant de gaz soit perpendiculaire à la grande surface des substrats et ceux-ci sont chauffés pour produire une réaction du gaz destinée à former le film requis. Afin d'obtenir une uniformité des films déposés sur plusieurs substrats, on maintient la pression dans la chambre de dépôt au-dessous de 10 millitorrs.