TEMPERATURE-MEASUREMENT DEVICE FOR SEMICONDUCTORS, PROCESS FOR ITS MANUFACTURE AND PROCESS FOR MEASURING THE TEMPERATURE OF SEMICONDUCTORS DURING ANNEALING PROCESSES

A device for measuring the internal temperature of a semiconductor (1) contains an incorporated thermocouple (5). During manufacture of the measurement device, the thermocouple (5) is inserted in a recess (6) in the semiconductor (1) and the recess (6) is filled with a material corresponding to the chemical composition of the surrounding of the recess (6). The measuring device for determining the surface temperature of a semiconductor contains a thermocouple metallized under vacuum on to the surface of a semiconductor or a thermocouple with a supporting weight positioned on the surface of a semiconductor. During the process for measuring the temperature of semiconductors during annealing processes, the temperature of reference semiconductors is determined using these measuring devices. For this purpose a measuring device is annealed together with a reference semiconductor. The invention is applicable to the manufacture of semiconductor products. Un dispositif de mesure de la température régnant à l'intérieur d'un corps semi-conducteur (1) comprend un élément thermique (5) intégré dans le corps semi-conducteur. Lors de la fabrication de ce dispositif de mesure, on introduit l'élément thermique (5) dans un évidement (6) du corps semi-conducteur (1) et on remplit l'évidement (6) avec un matériau qui correspond à la composition chimique des alentours de l'évidement (6). Un dispositif de mesure de la température de surface d'un corps semi-conducteur comprend un élément thermique métallisé sous vide à la surface d'un corps semi-conducteur ou un élément thermique avec un poids de support posé sur la surface du corps semi-conducteur. Selon un procédé de mesure de la température de corps semi-conducteurs lors de processus de malléabilisation, on détermine avec ces dispositifs de mesure la température de corps semi-conducteurs de référence. A cet effet, un dispositif de mesure associé à un corps semi-conducteur de référence est soumis avec le corps semi-conducteur à un processus de malléabilisation. L'invention s'applique dans le domaine de la fabrication de produits semi-conducteurs.