METHOD AND APPARATUS FOR MONITORING SURFACE LAYER GROWTH

A method of monitoring surface layer growth using light scattered off a surface illuminated e.g. by a laser. A small area of a surface of a substrate is illuminated and the light scattered in a non-specular direction is detected during cleaning and subsequent layer growth. The amount of light scattered varies strongly with surface characteristics and gives clear indication of the end of oxide removal, initiation of nucleation and quality of growing layers. The monitoring is used during e.g. chemical vapour deposition, or e.g. molecular beam epitaxy growth processes. Un procédé de surveillance de la croissance de couches superficielles utilise de la lumière diffusée sur une surface éclairée par exemple par un laser. Une petite partie de la surface d'un substrat est éclairée et la lumière diffusée dans une direction non spéculaire est détectée durant le nettoyage puis durant la croissance des couches. La quantité de lumière diffusée varie fortement en fonction des caractéristiques des surfaces et donne des indications précises sur la fin de l'élimination de l'oxyde, sur le début de la nucléation et sur la qualité des couches de croissance. Cette surveillance est utilisée par exemple durant un dépôt en phase chimique ou lors de procédés de croissance épitaxiale par faisceau moléculaire.