FABRICATION OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING HIGH AND LOW RESISTIVITY REGIONS

The property of group III-V compound materials whereby ion bombarded material becomes highly resistive but recovers its original low resistivity by annealing at a temperature which is dopant and material dependant, is utilized to fabricated integrated circuits which include buried semiconductor interconnections or bus bars (14) between devices (D1, D2). On utilise la propriété de matériaux de composés des groupes III-V, selon laquelle le matériau soumis à un bombardement ionique devient très résistif mais récupère sa faible résistivité originale par recuit à une température dépendant du matériau et du dopant, pour fabriquer des circuits intégrés comportant des barres de bus ou des interconnexions de semi-conducteurs enterrées (14) entre les dispositifs (D1, D2).