ENABLING SELECTIVE DEPOSITION OF TANTALUM NITRIDE BARRIER IN BEOL VIAS

Pre-treatment methods to facilitate metal-containing film deposition include exposing a semiconductor substrate to a reducing agent and an inhibitor. A silicon-containing inhibitor and reducing agent pre-treatment may be employed in association with deposition of metal-containing blocking films, along with an optional post-treatment to remove the inhibitor. Selective deposition may be achieved by utilization of silicon-containing inhibitors having at least one Si-H group and an organic moiety. Des procédés de prétraitement pour faciliter le dépôt de film contenant du métal comprennent l'exposition d'un substrat semi-conducteur à un agent réducteur et à un inhibiteur. Un inhibiteur contenant du silicium et un prétraitement d'agent réducteur peuvent être utilisés en association avec le dépôt de films de blocage contenant du métal, conjointement avec un post-traitement facultatif pour éliminer l'inhibiteur. Le dépôt sélectif peut être obtenu par utilisation d'inhibiteurs contenant du silicium ayant au moins un groupe Si-H et une fraction organique.