THIN HAFNIUM-ZIRCONIUM OXIDE FILMS HAVING LARGE GRAIN SIZE FOR FERROELECTRIC CAPACITORS

Apparatuses, memory systems, capacitor structures, and techniques related to ferroelectric capacitors having a hafnium-zirconium oxide film between the electrodes of the capacitor are discussed. The hafnium-zirconium oxide film is thin and has large crystallite grains. The thin large grain hafnium-zirconium oxide film having large grains is formed by depositing a thick hafnium-zirconium oxide film and annealing the thick hafnium-zirconium oxide film to establish the large grain size, and etching back the hafnium-zirconium oxide film to the desired thickness for deployment in the ferroelectric capacitor. L'invention concerne des appareils, des systèmes de mémoire, des structures de condensateurs et des techniques associées à des condensateurs ferroélectriques comportant un film d'oxyde d'hafnium-zirconium entre les électrodes du condensateur. Le film d'oxyde d'hafnium-zirconium est mince et possède de grands grains de cristallite. Le film mince d'oxyde d'hafnium-zirconium à grands grains est formé par dépôt d'un film d'oxyde d'hafnium-zirconium épais et par recuit du film d'oxyde d'hafnium-zirconium épais pour établir la grande taille de grain, et par gravure du film d'oxyde d'hafnium-zirconium à l'épaisseur souhaitée pour un déploiement dans le condensateur ferroélectrique.