SUBSTRATE PROCESSING METHOD

The present invention provides a technique capable of effectively reducing the pattern collapse ratio. The substrate processing method is provided with a holding step, a liquid supply step, a drying liquid supply step and a drying step. The holding step involves holding a substrate, which has a first main surface on which a pattern is formed and a second main surface on the side thereof opposite the first main surface. The liquid supply step involves supplying a processing liquid to the first main surface of the substrate. The drying liquid supply step involves supplying a drying liquid to the first main surface of the substrate after the liquid supply step. The drying step involves heating the second main surface of the substrate during a prescribed period after the drying liquid supply step, and drying the substrate with the substrate temperature on the first main surface of the substrate at or above the substrate temperature of the drying liquid supply step. La présente invention concerne une technique capable de réduire efficacement le taux d'effondrement de motif. Le procédé de traitement de substrat est pourvu d'une étape de maintien, d'une étape d'alimentation en liquide, d'une étape d'alimentation en liquide de séchage et d'une étape de séchage. L'étape de maintien consiste à maintenir un substrat, qui a une première surface principale sur laquelle un motif est formé et une seconde surface principale sur son côté opposé à la première surface principale. L'étape d'alimentation en liquide consiste à fournir un liquide de traitement à la première surface principale du substrat. L'étape d'alimentation en liquide de séchage consiste à fournir un liquide de séchage à la première surface principale du substrat après l'étape d'alimentation en liquide. L'étape de séchage consiste à chauffer la seconde surface principale du substrat pendant une période prescrite après l'étape d'alimentation en liquide de séchage, et à sécher le substrat avec la température de substrat sur la première surface principale du substrat au niveau ou au-dessus de la température de substrat de l'étape d'alimentation en liquide de séchage. パターンの倒壊率を効果的に低減させることができる技術を提供する。基板処理方法は、保持工程と、液供給工程と、乾燥液供給工程と、乾燥工程とを備える。保持工程では、パターンが形成された第１主面と、第１主面とは逆側の第２主面とを有する基板を保持する。液供給工程では、基板の前記第１主面に処理液を供給する。乾燥液供給工程では、液供給工程の後に、基板の第１主面に乾燥液を供給する。乾燥工程では、乾燥液供給工程の後の所定期間において基板の第２主面を加熱して、基板の第１主面の基板温度を、乾燥液供給工程における基板温度以上とし、基板を乾燥させる。