EMBEDDED INDUCTOR MODULE AND PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE

An example method (100) includes forming a cavity in a multi-layer substrate of a leadframe (102). The cavity extends from a first substrate surface of the leadframe into the multi-layer substrate to define a cavity floor spaced from the first substrate surface by a cavity sidewall, and at least one conductive terminal is on the cavity floor. The method also includes placing an inductor module in the cavity (104), in which the inductor module includes a conductor embedded within a dielectric substrate between spaced apart first and second inductor terminals of the inductor module. The method also includes coupling at least one of the first and second inductor terminals to the at least one conductive terminal on the cavity floor (106). The method also includes encapsulating the inductor module and at least a portion of the leadframe with a mold compound )112). Un procédé donné à titre d'exemple (100) comprend la formation d'une cavité dans un substrat multicouche d'une grille de connexion (102). La cavité s'étend à partir d'une première surface de substrat de la grille de connexion dans le substrat multicouche pour définir un plancher de cavité espacé de la première surface de substrat par une paroi latérale de cavité, et au moins une borne conductrice se trouve sur le plancher de cavité. Le procédé consiste également à placer un module inducteur dans la cavité (104), le module inducteur comprenant un conducteur intégré dans un substrat diélectrique entre des première et seconde bornes d'inducteur espacées du module inducteur. Le procédé comprend également le couplage d'au moins l'une des première et seconde bornes d'inducteur à l'au moins une borne conductrice sur le plancher de la cavité (106). Le procédé comprend également l'encapsulation du module inducteur et d'au moins une partie de la grille de connexion avec un composé de moule (112).