SUBSTRATE ETCHING WITH AEROSTATIC BEARINGS

Techniques and apparatus are provided for processing a semiconductor substrate. In some embodiments, such techniques may include: activating a first aerostatic bearing gas through a first surface of a first electrode subassembly; receiving the semiconductor substrate between the first surface of the first electrode subassembly and a second surface of a second electrode subassembly disposed opposite the first electrode assembly; activating a second aerostatic bearing gas through the second surface; moving the second electrode assembly to create stiffness between the semiconductor substrate and the first and second surfaces; and processing an edge portion of the semiconductor substrate using a plasma generated by the first and second electrode subassemblies. L'invention concerne des techniques et un appareil pour le traitement d'un substrat semi-conducteur. Dans certains modes de réalisation, de telles techniques peuvent consister à : activer un premier gaz porteur aérostatique sur une première surface d'un premier sous-ensemble d'électrodes; recevoir le substrat semi-conducteur entre la première surface du premier sous-ensemble d'électrodes et une seconde surface d'un second sous-ensemble d'électrodes disposé à l'opposé du premier ensemble d'électrodes; activer un second gaz porteur aérostatique sur la seconde surface; déplacer le second ensemble d'électrodes pour créer une rigidité entre le substrat semi-conducteur et les première et seconde surfaces; et traiter une partie périphérique du substrat semi-conducteur à l'aide d'un plasma généré par les premier et second sous-ensembles d'électrodes.