NANOSHEET TRANSISTORS WITH DIFFERENT GATE DIELECTRIC THICKNESSES

Disclosed are semiconductor devices and fabrication methods. A semiconductor device includes a first gate structure (130) including a first set of channels (134) disposed along a first direction through a first gate metal, and a first set of gate dielectrics (136) disposed between the first set of channels and the first gate metal. The first set of gate dielectrics each have a first thickness. The semiconductor device further includes a second gate structure (140) including a second set of channels (144) disposed along the first direction through a second gate metal, and a second set of gate dielectrics (146) disposed between the second set of channels and the second gate metal. The second set of gate dielectrics each have a second thickness. The second thickness is greater than the first thickness and the second set of channels is less in number than the first set of channels. L'invention concerne des dispositifs à semi-conducteur et des procédés de fabrication. Un dispositif à semi-conducteur comprend une première structure de grille (130) comprenant un premier ensemble de canaux (134) disposés selon une première direction à travers un premier métal de grille, et un premier ensemble de diélectriques de grille (136) disposés entre le premier ensemble de canaux et le premier métal de grille. Le premier ensemble de diélectriques de grille ont chacun une première épaisseur. Le dispositif à semi-conducteur comprend en outre une seconde structure de grille (140) comprenant un second ensemble de canaux (144) disposés selon la première direction à travers un second métal de grille, et un second ensemble de diélectriques de grille (146) disposé entre le second ensemble de canaux et le second métal de grille. Le second ensemble de diélectriques de grille a chacun une seconde épaisseur. La seconde épaisseur est supérieure à la première épaisseur et le second ensemble de canaux est inférieur en nombre au premier ensemble de canaux.