P-SIDE UP MICROLED STRUCTURE

A light emitting diode (LED) array and method of fabricating the LED array are described. The LED array has trapezoidal pixels of microLEDs. Each pixel contains an epitaxial LED structure with n-type and p-type semiconductor layers, and an active region configured to emit light through the p-type layer. Sidewalls of the pixels extend at an angle of about 20° from a growth direction of the layers. A transparent conducting oxide (TCO) layer is on the p-type layer and a patterned periodic nanostructure is on the TCO layer. Un réseau de diodes électroluminescentes (DEL) et un procédé de fabrication du réseau de DEL sont décrits. Le réseau de DEL présente des pixels trapézoïdaux de microDEL. Chaque pixel contient une structure de DEL épitaxiale comprenant des couches semi-conductrices de type n et de type p, et une région active configurée pour émettre de la lumière à travers la couche de type p. Des parois latérales des pixels s'étendent à un angle d'environ 20° par rapport à un sens de croissance des couches. Une couche d'oxyde conducteur transparent (TCO) se trouve sur la couche de type p et une nanostructure périodique à motifs se trouve sur la couche de TCO.