POLYMER AND PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION CONTAINING SAME, COPPER PASTE, LIQUID COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING COPPER PILLAR FOR SEMICONDUCTOR CONNECTION

The present invention provides a copper paste capable of reducing the number of processes for forming a copper pillar as compared with a conventional one and lowering the joining temperature. A copper paste for manufacturing a copper pillar for semiconductor connection, comprising copper particles; and a dispersion medium containing a basic compound and a reducing organic substance, wherein the molar ratio (basic group/acidic group) of the basic group contained in the basic compound to the acidic group contained in the reducing organic substance is 0.5-1.2, and the viscosity measured by a rheometer at 25°C and a shear speed of 10 s-1 is 0.1-200 Pa∙s. La présente invention propose une pâte de cuivre capable de réduire le nombre de procédés de formation d'une colonne en cuivre, par comparaison avec un procédé classique, et d'abaisser la température de jonction. Une pâte de cuivre pour la fabrication d'une colonne en cuivre pour une connexion de semi-conducteur, comprenant des particules de cuivre ; et un milieu de dispersion contenant un composé basique et une substance organique réductrice, le rapport molaire (groupe basique/groupe acide) du groupe basique contenu dans le composé basique au groupe acide contenu dans la substance organique réductrice étant de 0,5 à 1,2, et la viscosité mesurée par un rhéomètre à 25 °C et une vitesse de cisaillement de 10 s-1 étant de 0,1 à 200 Pa∙s. 従来よりも銅ピラー形成ための工程数を減らすことができ、接合温度を下げることができる銅ペーストの提供。 銅粒子と、 塩基性化合物及び還元性有機物を含む分散媒と、を含み、 前記塩基性化合物に含まれる塩基性基と還元性有機物に含まれる酸性基とのモル比（塩基性基／酸性基）が０．５～１．２であり、 レオメーターにより測定される２５℃、せん断速度１０ｓ－１における粘度が、０．１～２００Ｐａ・ｓである、半導体接続用銅ピラーの製造のための銅ペースト。