PLASMA PROCESSING APPARATUS

A plasma processing apparatus 100 comprises a discharge chamber 1, a processing chamber 2, and an exhaust chamber 3 which are provided inside of a vacuum container 101. A sample table 4 on which a wafer can be placed is disposed inside of the processing chamber 2. A dispersion plate 20 is provided between the processing chamber 2 and the discharge chamber 1. A plurality of through holes 21 are formed in the dispersion plate 20 such that the processing chamber 2 and the discharge chamber 1 communicate. An exhaust plate 30 is provided between the processing chamber 2 and the exhaust chamber 3 so as to surround the sample table 4. A plurality of through holes 31 are formed in the exhaust plate 30 such that the processing chamber 2 and the exhaust chamber 3 communicate. A ring-shaped electrode EL1 is attached to the dispersion plate 20, and a ring-shaped electrode EL2 is attached to the exhaust plate 30. A variable DC power supply is electrically connected to each of the electrode EL1 and the electrode EL2. La présente invention concerne un appareil de traitement au plasma qui comprend une chambre de décharge 1, une chambre de traitement 2 et une chambre d'échappement 3 situées à l'intérieur d'un conteneur à vide 101. Une table d'échantillon 4 sur laquelle une tranche peut être placée est disposée à l'intérieur de la chambre de traitement 2. Une plaque de dispersion 20 est disposée entre la chambre de traitement 2 et la chambre de décharge 1. Une pluralité de trous traversants 21 sont formés dans la plaque de dispersion 20 de telle sorte que la chambre de traitement 2 et la chambre de décharge 1 communiquent. Une plaque d'échappement 30 est disposée entre la chambre de traitement 2 et la chambre d'échappement 3 de façon à entourer la table d'échantillon 4. Une pluralité de trous traversants 31 sont formés dans la plaque d'échappement 30 de telle sorte que la chambre de traitement 2 et la chambre d'échappement 3 communiquent. Une électrode annulaire EL1 est fixée à la plaque de dispersion 20, et une électrode annulaire EL2 est fixée à la plaque d'échappement 30. Une alimentation en courant continu variable est électriquement connectée à l'électrode EL1 et à l'électrode EL2. プラズマ処理装置１００は、真空容器１０１の内部に設けられた放電室１、処理室２および排気室３を備える。ウェハを載置可能な試料台４は、処理室２の内部に配置されている。処理室２と放電室１との間には、分散板２０が設けられている。分散板２０には、処理室２および放電室１が連通するように、複数の貫通孔２１が形成されている。処理室２と排気室３との間には、試料台４を囲むように、排気板３０が設けられている。排気板３０には、処理室２および排気室３が連通するように、複数の貫通孔３１が形成されている。分散板２０には、リング状の電極ＥＬ１が取り付けられ、排気板３０には、リング状の電極ＥＬ２が取り付けられて