X-RAY FOCUSING AND WAVELENGTH SELECTION

A system having local x-ray induced charge compensation capabilities, the system includes low energy electron (LEE) emission source configured to emit LEEs along one or more LEEs paths towards a region of a sample being illuminated by an x-ray beam, the LEEs impinge on the region and reduce a chargi...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: DELGADO, Gildardo, ZHUANG, Guorong V, SCHUELER, Bruno W, TOTH, Gabor
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A system having local x-ray induced charge compensation capabilities, the system includes low energy electron (LEE) emission source configured to emit LEEs along one or more LEEs paths towards a region of a sample being illuminated by an x-ray beam, the LEEs impinge on the region and reduce a charging of the region due to the illumination by the x- ray beam, wherein each one of the one or more LEEs paths is oriented by a few degrees, to an optical axis of a photoelectron beam that is emitted from the region due the illumination by the x-ray beam. L'invention concerne un système ayant des capacités de compensation locale de charge induite par rayons X, le système comprend une source d'émission d'électrons à faible énergie (LEE) conçue pour émettre des LEE le long d'une ou de plusieurs trajectoires de LEE vers une région d'un échantillon éclairé par un faisceau de rayons X, les LEE frappent la région et réduisent une charge de la région en raison de l'éclairage par le faisceau de rayons X, chacune de la ou des trajectoires de LEE étant orientée de quelques degrés, vers un axe optique d'un faisceau de photoélectrons qui est émis à partir de la région en raison de l'éclairage par le faisceau de rayons X.