CHLORINE BASED ISOTROPIC SURFACE TREATMENT OF PLASMA ETCHED SIDE SURFACES OF A MICRO-LED

The invention concerns a method for manufacturing an optoelectronic device comprising the steps of: providing a semiconductor layer stack of at least a first layer of a first conductivity type, a second layer of a second conductivity type as well as an active region between the first and second layer; plasma etching the semiconductor layer stack such that at least a first portion of the semiconductor layer stack is retained and at least a second portion of the semiconductor layer stack adjacent to the first portion is removed, thereby forming an etched side surface of the first portion comprising the first layer, the second layer and the active region; and surface treating the etched side surface using a chlorine based substantially isotropic etching process. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique comprenant les étapes suivantes consistant à : fournir un empilement de couches semi-conductrices comprenant au moins une première couche d'un premier type de conductivité, une seconde couche d'un second type de conductivité ainsi qu'une région active entre la première et la seconde couche ; graver au plasma l'empilement de couches semi-conductrices de sorte qu'au moins une première partie de l'empilement de couches semi-conductrices est conservée et qu'au moins une seconde partie de l'empilement de couches semi-conductrices adjacente à la première partie est éliminée, formant ainsi une surface latérale gravée de la première partie comprenant la première couche, la seconde couche et la région active ; et traiter la surface latérale gravée à l'aide d'un processus de gravure substantiellement isotrope à base de chlore.