TRENCH JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING A MESA REGION

A trench junction field effect transistor, trench JFET (100), is proposed. The trench JFET (100) includes a mesa region (103) confined by first and second trenches (1061, 1062) spaced apart from each other in a first lateral direction (x1) of a semiconductor body (102), the first and second trenches (1061, 1062) extending from a first surface (108) into the semi-conductor body (102); a mesa channel region (104) of a first conductivity type (103); a first control region (1101) of a second conductivity type complementary to the first conductivity type arranged in the mesa region (103) adjacent to the first trench (1061); and a second control region (1102) of the second conductivity type arranged in the mesa region (103) adjacent to the second trench (1062). The mesa channel region (104) is arranged, in the first lateral direction (x1), between the first control region (1101) and the second control region (1102), and the first control region (1101) is electrically coupled to a source contact (S), and the second control region (1102) is electrically coupled to a gate contact (G). L'invention concerne un transistor à effet de champ à jonction de tranchée (100) (JFET à tranchée). Le JFET à tranchée (100) comprend une région mesa (103) confinée par des première et seconde tranchées (1061, 1062) espacées l'une de l'autre dans une première direction latérale (x1) d'un corps semi-conducteur (102), lesdites première et seconde tranchées (1061, 1062) s'étendant à partir d'une première surface (108) dans le corps semi-conducteur (102) ; une région de canal mesa (104) d'un premier type de conductivité (103) ; une première région de commande (1101) d'un second type de conductivité complémentaire du premier type de conductivité disposée dans la région mesa (103) adjacente à la première tranchée (1061) ; et une seconde région de commande (1102) de second type de conductivité disposée dans la région mesa (103) adjacente à la seconde tranchée (1062). La région de canal mesa (104) est agencée, dans la première direction latérale (x1), entre la première région de commande (1101) et la seconde région de commande (1102), et la première région de commande (1101) est électriquement couplée à un contact de source (S), et la seconde région de commande (1102) est électriquement couplée à un contact de grille (G).