POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD TO MANUFACTURE A POWER SEMICONDUCTOR MODULE

The invention relates to a power semiconductor module (1) comprising a module housing (50) with an alignment element (52); and a substrate structure (10) with a plate-shape, a top side (12), a top metallization layer (30) arranged on the top side, a power semiconductor device (18) arranged on the top side (12) and electrically connected to the top metallization layer (30) and a recessed feature (20) arranged on the top side (12), which substrate structure (10) is fastened to the module housing (50) to accommodate the power semiconductor device (18); wherein the alignment element (52) penetrates from the top side (12) into and/or through the recessed feature (20) thereby providing a mechanical engagement between the module housing (50) and the substrate structure (10) with respect to a movement towards at least one direction in a plane (P) along the top side (12). L'invention concerne un module semi-conducteur de puissance (1) comprenant un boîtier de module (50) pourvu d'un élément d'alignement (52) ; et une structure de substrat (10) en forme de plaque, un côté supérieur (12), une couche de métallisation supérieure (30) disposée sur le côté supérieur, un dispositif à semi-conducteur de puissance (18) disposé sur le côté supérieur (12) et connecté électriquement à la couche de métallisation supérieure (30) et un élément évidé (20) disposé sur le côté supérieur (12), laquelle structure de substrat (10) est fixée au boîtier de module (50) pour recevoir le dispositif à semi-conducteur de puissance (18) ; l'élément d'alignement (52) pénétrant depuis le côté supérieur (12) dans et/ou à travers l'élément évidé (20), fournissant ainsi une mise en prise mécanique entre le boîtier de module (50) et la structure de substrat (10) par rapport à un déplacement vers au moins une direction dans un plan (P) le long du côté supérieur (12).