MULTILAYERED SEMICONDUCTOR OBJECT AND OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT

This multilayered semiconductor object comprises: a first p-type semiconductor layer which is made of a III-V Group element compound semiconductor and has a p-type conductivity; and a first n-type semiconductor layer which is formed on the first p-type semiconductor layer so as to be in contact with the first p-type semiconductor layer and which is made of a III-V Group element compound semiconductor and has an n-type conductivity. The first p-type semiconductor layer contains carbon as an acceptor. In the first n-type semiconductor layer, carbon functions as a donor. Cet objet semi-conducteur multicouche comprend : une première couche semi-conductrice de type p qui est constituée d'un semi-conducteur composé d'élément de groupe III-V et a une conductivité de type p ; et une première couche semi-conductrice de type n qui est formée sur la première couche semi-conductrice de type p de façon à être en contact avec la première couche semi-conductrice de type p et qui est constituée d'un semi-conducteur composé d'élément de groupe III-V et a une conductivité de type n. La première couche semi-conductrice de type p contient du carbone en tant qu'accepteur. Dans la première couche semi-conductrice de type n, le carbone fonctionne comme donneur. 半導体積層体は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体から構成され、導電型がｐ型である第１ｐ型半導体層と、第１ｐ型半導体層に接触するように第１ｐ型半導体層上に積層され、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体から構成され、導電型がｎ型である第１ｎ型半導体層と、を備える。第１ｐ型半導体層は、炭素をアクセプタとして含む。第１ｎ型半導体層では、炭素はドナーとして機能する。