SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERSION DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER CONVERSION DEVICE

Electrode melting is suppressed even when high voltages are applied. A semiconductor device related to the technology disclosed in the Description of the present application comprises: in a cell region, at least one first trench formed reaching into a drift layer from the upper surface of a base region; in a terminal region that surrounds the cell region in plan view, a second trench formed reaching into the drift layer from the upper surface of the base region; a source region; a source electrode; and a drain electrode. A first gate electrode and a second gate electrode are electrically connected, and the depth of the second trench is greater than the depth of the first trench. La présente invention permet d'éviter la fusion d'électrodes même lorsque des tensions élevées sont appliquées. Un dispositif à semi-conducteur associé à la technologie divulguée dans la description de la présente invention comprend : dans une région de cellule, au moins une première tranchée formée s'étendant jusqu'à une couche de dérive depuis la surface supérieure d'une région de base ; dans une région de borne qui entoure la région de cellule dans une vue en plan, une seconde tranchée formée s'étendant jusqu'à la couche de dérive depuis la surface supérieure de la région de base ; une région de source ; une électrode de source ; et une électrode de drain. Une première électrode de grille et une seconde électrode de grille sont électriquement connectées, et la profondeur de la seconde tranchée est supérieure à la profondeur de la première tranchée. 高電圧が印加された場合でも電極の融解を抑制する。本願明細書に開示される技術に関する半導体装置は、セル領域においてベース領域の上面からドリフト層内に達して形成される少なくとも１つの第１の溝と、セル領域を平面視で囲む終端領域において、ベース領域の上面からドリフト層内に達して形成される第２の溝と、ソース領域と、ソース電極と、ドレイン電極とを備え、第１のゲート電極と第２のゲート電極とが、電気的に接続され、第２の溝の深さが、第１の溝の深さよりも深い。