TITANIUM OXIDE PARTICLES, RESIN COMPOSITION FOR ELECTRONIC MATERIALS, MOLDED ARTICLE, COMPONENT FOR ELECTRONIC DEVICES, AND METHOD FOR PRODUCING TITANIUM OXIDE PARTICLES
Titanium oxide particles having a low dielectric loss tangent value are provided. Titanium oxide particles contain titanium dioxide, and the titanium dioxide has an average crystallite size of greater than or equal to 220 nm as determined by a peak at 2θ=27.5°±1.0° obtained in an X-ray diffraction m...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | Titanium oxide particles having a low dielectric loss tangent value are provided. Titanium oxide particles contain titanium dioxide, and the titanium dioxide has an average crystallite size of greater than or equal to 220 nm as determined by a peak at 2θ=27.5°±1.0° obtained in an X-ray diffraction measurement. A method for producing the titanium oxide particles includes a mixing step and a firing step. The mixing step is a step of mixing a titanium compound with a molybdenum compound and at least one of a potassium compound or a sodium compound to form a mixture. The firing step is a step of firing the mixture. A molar ratio of Mo to M1 of the mixture is more than 0.5, where M1 represents Na and K.
L'invention concerne des particules d'oxyde de titane ayant une faible valeur de tangente de perte diélectrique. Les particules d'oxyde de titane contiennent du dioxyde de titane, et le dioxyde de titane a une taille de cristallite moyenne supérieure ou égale à 220 nm telle que déterminée par un pic à 2θ = 27,5° ± 1,0° obtenu dans une mesure de diffraction des rayons X. Une méthode de production des particules d'oxyde de titane comprend une étape de mélange et une étape de cuisson. L'étape de mélange est une étape consistant à mélanger un composé de titane avec un composé de molybdène et au moins l'un d'un composé de potassium ou d'un composé de sodium pour former un mélange. L'étape de cuisson est une étape consistant à cuire le mélange. Un rapport molaire de Mo à M1 du mélange est supérieur à 0,5, M1 représentant Na et K. |
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