SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND MEMORY CELLS AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

The present disclosure relates to semiconductor structures, memory devices, and methods for making the same. The semiconductor structure comprises a first substrate, a second substrate, a bonding layer, a first conductive layer, and a first dielectric layer. The second substrate is disposed on the first substrate. The second substrate is a single crystalline substrate. The bonding layer is disposed between the first substrate and the second substrate. The first conductive layer is disposed between the bonding layer and the second substrate. The first dielectric layer is disposed between the first conductive layer and the second substrate. La présente divulgation concerne des structures semi-conductrices, des dispositifs de mémoire et leurs procédés de fabrication. La structure semi-conductrice comprend un premier substrat, un second substrat, une couche de liaison, une première couche conductrice et une première couche diélectrique. Le second substrat est disposé sur le premier substrat. Le second substrat est un substrat monocristallin. La couche de liaison est disposée entre le premier substrat et le second substrat. La première couche conductrice est disposée entre la couche de liaison et le second substrat. La première couche diélectrique est disposée entre la première couche conductrice et le second substrat.