SYSTEM AND METHOD FOR ION SOURCE TEMPERATURE CONTROL USING SYMMETRIC OR ASYMMETRIC APPLICATION OF FORCE
An ion source is disclosed, in which the compression force applied to the faceplate on the two sides of the extraction aperture may be varied independently. Modi fying the compression force between the faceplate and arc chamber can enable temperature control of the ion source by modi fying the therm...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | An ion source is disclosed, in which the compression force applied to the faceplate on the two sides of the extraction aperture may be varied independently. Modi fying the compression force between the faceplate and arc chamber can enable temperature control of the ion source by modi fying the thermal contact resistance between the two components. This may allow more control of the temperature of the faceplate, and more speci fically, the temperature profile across the entire faceplate due to precise control of the thermal contact gradient along the length of the faceplate. The ion implantation system includes two adj ustable tension systems, each of which includes an actuator. A controller is used to provide a command signal to each adj ustable tension system. In some embodiments, a feedback signal is generated by each adj ustable tension system, which is representative of the torque or force experienced by the actuator.
Est divulguée une source d'ions, dans laquelle la force de compression appliquée à la plaque frontale des deux côtés de l'ouverture d'extraction peut être modifiée indépendamment. La modification de la force de compression entre la plaque frontale et la chambre d'arc peut permettre la régulation de la température de la source d'ions par modification de la résistance de contact thermique entre les deux composants. Cela peut permettre de mieux réguler la température de la plaque frontale et, plus spécifiquement, du profil de température sur toute la plaque frontale grâce à une régulation précise du gradient de contact thermique sur la longueur de la plaque frontale. Le système d'implantation ionique comprend deux systèmes de tension réglable, chacun comprenant un actionneur. Un contrôleur est utilisé pour fournir un signal de commande à chaque système de tension réglable. Dans certains modes de réalisation, un signal de rétroaction est généré par chaque système de tension réglable, qui est représentatif du couple ou de la force subie par l'actionneur. |
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