TECHNIQUES FOR DICING BONDED WAFERS USING LASER TECHNOLOGIES

Methods, systems, and devices implementing techniques for dicing bonded wafers using laser technologies are described. A bonded wafer includes an optically transmissive substrate bonded with a semiconductor substrate. The optically transmissive substrate is irradiated using a first laser technology associated with perforating the optically transmissive substrate to form damage tracks. The semiconductor substrate is irradiated using a second laser technology associated with forming damage regions within the semiconductor substrate. The damage regions of the semiconductor substrate are aligned with the damage tracks of the optically transmissive substrate during irradiation of the semiconductor substrate or the optically transmissive substrate, forming an aligned region through the bonded wafer with a relatively high likelihood for fracture. After irradiating the optically transmissive substrate and the semiconductor substrate, one or more forces may be applied to the bonded wafer to separate the bonded wafer into respective dies along the aligned region. L'invention concerne des procédés, des systèmes et des dispositifs mettant en œuvre des techniques de découpage en puces de tranches collées par des technologies laser. Une tranche collée comprend un substrat optiquement transparent collé à un substrat semi-conducteur. Le substrat optiquement transparent est exposé à une lumière laser issue d'une première technologie laser associée à la perforation du substrat optiquement transparent pour former des traces de dégradation. Le substrat semi-conducteur est exposé à une lumière laser issue d'une seconde technologie laser associée à la formation de régions de dégradation à l'intérieur du substrat semi-conducteur. Les régions de dégradation du substrat semi-conducteur sont alignées avec les traces de dégradation du substrat optiquement transparent pendant l'exposition à la lumière laser du substrat semi-conducteur ou du substrat optiquement transparent, formant une région alignée à travers la tranche collée présentant une probabilité relativement élevée de rupture. Après exposition à la lumière laser du substrat optiquement transparent et du substrat semi-conducteur, une ou plusieurs forces peuvent être appliquées à la tranche collée pour séparer la tranche collée en différentes puces le long de la région alignée.