PROTECTION LAYER FORMATION DURING PLASMA ETCHING CONDUCTIVE MATERIALS

A method of processing a substrate that includes: forming a patterned hardmask layer over a conductive layer to be etched, the conductive layer disposed over a substrate; and patterning the conductive layer using the patterned hardmask layer as an etch mask, by performing a cyclic plasma etch process to gradually form a recess in the conductive layer, each cycle of the cyclic plasma etch process including exposing the substrate to a first plasma including a halogen to etch the conductive layer, and exposing the substrate to a second plasma including a silicon-containing precursor to deposit a silicon-containing protective layer over a top surface of the patterned hardmask layer. L'invention concerne un procédé de traitement d'un substrat qui consiste en : la formation d'une couche de masque dur à motifs sur une couche conductrice à graver, la couche conductrice étant disposée sur un substrat ; et la formation de motifs sur la couche conductrice à l'aide de la couche de masque dur à motifs en tant que masque de gravure, par réalisation d'un processus de gravure au plasma cyclique pour former progressivement un évidement dans la couche conductrice, chaque cycle du processus de gravure au plasma cyclique comprenant l'exposition du substrat à un premier plasma comprenant un halogène pour graver la couche conductrice, et l'exposition du substrat à un second plasma comprenant un précurseur contenant du silicium pour déposer une couche de protection contenant du silicium sur une surface supérieure de la couche de masque dur à motifs.