METHODS FOR BOW COMPENSATION USING TENSILE NITRIDE

Embodiments of the present technology may include semiconductor processing methods. The methods may include providing deposition precursors to a processing region of a semiconductor processing chamber. The deposition precursors may include a silicon-containing precursor and a nitrogen-containing precursor. A substrate including one or more materials may be disposed within the processing region. The substrate may be characterized by a first bowing of the substrate. The methods may include generating plasma effluents of the deposition precursors. The methods may include forming a layer of silicon-and-nitrogen-containing material on the substrate. The layer of silicon-and-nitrogen-containing material may be characterized by a tensile stress. Subsequent forming the layer of silicon-and-nitrogen-containing material, the substrate may be characterized by a second bowing of the substrate that is less than the first bowing of the substrate. Des modes de réalisation de la présente technologie peuvent comprendre des procédés de traitement de semi-conducteur. Les procédés peuvent comprendre la fourniture de précurseurs de dépôt à une région de traitement d'une chambre de traitement de semi-conducteur. Les précurseurs de dépôt peuvent comprendre un précurseur contenant du silicium et un précurseur contenant de l'azote. Un substrat comprenant un ou plusieurs matériaux peut être disposé à l'intérieur de la région de traitement. Le substrat peut être caractérisé par une première cambrure du substrat. Les procédés peuvent comprendre la génération d'effluents de plasma des précurseurs de dépôt. Les procédés peuvent comprendre la formation d'une couche de matériau contenant du silicium et de l'azote sur le substrat. La couche de matériau contenant du silicium et de l'azote peut être caractérisée par une contrainte de traction. À la suite de la formation de la couche de matériau contenant du silicium et de l'azote, le substrat peut être caractérisé par une seconde cambrure du substrat qui est inférieure à la première cambrure du substrat.