LOW-TEMPERATURE SELECTIVE EPITAXY CONTACT APPROACH

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same are provided. The method includes epitaxially growing a doped crystalline silicon-containing layer over a source/drain feature and growing a doped amorphous silicon-containing layer over a field region of a semiconductor layer. The trench is formed in the semiconductor layer and the trench exposes the source/drain feature. The method further includes epitaxially growing an undoped crystalline silicon-containing capping layer over the doped crystalline silicon-containing layer and growing an undoped amorphous silicon-containing layer over the doped silicon-containing amorphous layer. The method further includes selectively removing the doped amorphous silicon- containing layer and the undoped amorphous silicon-containing layer relative to the silicon-containing crystalline capping layer. The method further includes removing the silicon-containing crystalline capping layer to expose the doped silicon-containing crystalline layer. Sont prévus des dispositifs à semi-conducteurs et leurs procédés de fabrication. Le procédé comprend la croissance épitaxiale d'une couche contenant du silicium cristallin dopé sur un attribut de source/drain et la croissance d'une couche contenant du silicium amorphe dopé sur une région champ d'une couche semi-conductrice. La tranchée est formée dans la couche semi-conductrice et la tranchée expose l'attribut de source/drain. Le procédé comprend en outre la croissance épitaxiale d'une couche de recouvrement contenant du silicium cristallin non dopé sur la couche contenant du silicium cristallin dopé et la croissance d'une couche contenant du silicium amorphe non dopé sur la couche amorphe contenant du silicium dopé. Le procédé comprend en outre l'élimination sélective de la couche contenant du silicium amorphe dopé et de la couche contenant du silicium amorphe non dopé par rapport à la couche de recouvrement cristalline contenant du silicium. Le procédé comprend en outre l'élimination de la couche de recouvrement cristalline contenant du silicium pour exposer la couche cristalline contenant du silicium dopé.