THICK FILM RESISTOR

Provided is a thick film resistor comprising ruthenium oxide and glass. The ruthenium oxide has a rutile-type crystal structure. When the lattice constant of the a-axis measured by an X-ray diffraction method is La and the lattice constant of the c-axis is Lc, Lc/La is greater than or equal to 0.688...

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1. Verfasser: KAWAKUBO, Katsuhiro
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:Provided is a thick film resistor comprising ruthenium oxide and glass. The ruthenium oxide has a rutile-type crystal structure. When the lattice constant of the a-axis measured by an X-ray diffraction method is La and the lattice constant of the c-axis is Lc, Lc/La is greater than or equal to 0.6885, and the crystallite diameter is 10-80 nm. L'invention concerne une résistance en film épais comprenant de l'oxyde de ruthénium et du verre. L'oxyde de ruthénium possède une structure cristalline de type rutile. Lorsque la constante de réseau de l'axe a, mesurée par un procédé de diffraction de rayons X, est La, et la constante de réseau de l'axe c est Lc, Lc/La est supérieur ou égal à 0,6885, et le diamètre des cristallites est de 10 à 80 nm. 酸化ルテニウムと、ガラスと、を含み、 前記酸化ルテニウムは、ルチル型結晶構造を有し、 X線回折法により測定したa軸の格子定数をLa、c軸の格子定数をLcとした場合にLc/Laが0.6885以上であり、 結晶子径が10nm以上80nm以下である厚膜抵抗体。