PROCESS FOR THE GENERATION OF ALUMINUM OXIDE FILMS

The present invention is in the field of processes for preparing an aluminum oxide film on a substrate. The process for preparing an aluminum oxide film comprises a) depositing a compound of general formula (I) or (II) from the gaseous state onto a substrate, wherein Z is NR2, PR2, OR, SR, CR2, SiR2, X is H or NR'2, n is 1 or 2, and R and R' is an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or a silyl group, wherein the temperature of the substrate is 20 to 250 °C and b) bringing the deposited compound of general formula (I) or (II) in contact with an oxygen-containing decomposition compound in the gaseous state. La présente invention concerne le domaine des processus de préparation d'un film d'oxyde d'aluminium sur un substrat. Le processus de préparation d'un film d'oxyde d'aluminium consiste à a) déposer un composé de formule générale (I) ou (II) depuis l'état gazeux sur un substrat, Z étant NR2, PR2, OR, SR, CR2, SiR2, X étant H ou NR'2}, n étant 1 ou 2, et R et R' étant un groupe alkyle, un groupe alcényle, un groupe aryle ou un groupe silyle, la température du substrat étant de 20 à 250 °C, et b) mettre en contact le composé déposé de formule générale (I) ou (II) avec un composé de décomposition, contenant de l'oxygène, à l'état gazeux.