PRECURSOR COMPOUND FOR THIN FILM FORMATION AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

The present techniques provide a precursor compound of [chemical formula 1] for thin film formation and a preparation method therefor, wherein a photoresist layer can be prevented from undergoing pattern collapse by reducing the exposure time for pattern formation and minimizing the thickness of a lower layer with an etching selectivity similar to that of a photoresist or omitting the lower layer during post-exposure etching. (In [chemical formula 1], R0 is Si, Sn, Ge, Sb, In, Hf, Zr, Ti, or Te; R1 is CH3, CF3, CH=CH2, halogen, or phenyl; R2 and R2' each are independently alkyl or alkoxy; R3 is amine or halogen; R is hydrogen or halogen; n is an integer of 1-7) Les présentes techniques concernent un composé précurseur de [formule chimique 1] pour la formation de couche mince et son procédé de préparation, une couche de résine photosensible pouvant être empêchée de subir un affaissement de motif par réduction du temps d'exposition pour la formation de motif et par réduction au minimum de l'épaisseur d'une couche inférieure avec une sélectivité de gravure similaire à celle d'une résine photosensible ou par omission de la couche inférieure pendant la gravure post-exposition. (Dans [formule chimique 1], R0 est Si, Sn, Ge, Sb, In, Hf, Zr, Ti, ou Te ; R1 est CH3, CF3, CH=CH2, halogène, ou phényle ; R2 et R2' sont chacun indépendamment alkyle ou alcoxy ; R3 est amine ou halogène ; R est hydrogène ou halogène ; n est un nombre entier de 1 à 7) 본 기술은 패턴 형성을 위한 노광시간 단축과 더불어 노광 후 식각 시 포토레지스트와 유사한 식각 선택비를 가지는 하부층의 두께를 최소화하거나 생략함으로써 포토레지스트층의 패턴 붕괴(pattern collapse)를 방지할 수 있는 [화학식 1]을 포함하는 박막 형성용 전구체 화합물 및 이의 제조방법을 제공한다. (상기 [화학식 1]에서, R0는 Si, Sn, Ge, Sb, In, Hf, Zr, Ti 또는 Te이고, R1은 CH3, CF3, CH=CH2, 할로겐 또는 페닐이며, R2 및 R2'은 각각 독립적으로 알킬 또는 알콕시이고, R3은 아민 또는 할로겐이며, R은 수소 또는 할로겐이고, n은 1~7의 정수임)