SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS

This semiconductor device includes a thin film transistor comprising, on a substrate: an oxide semiconductor layer, which comprises an impurity region containing boron as an impurity and a channel region, and in which an atomic ratio of In to all metal elements is 70 atom % or more; a plurality of insulating film layers; and a plurality of metal layers. The linear mobility μlin of the thin film transistor is 15 cm 2/Vs or more and the threshold voltage Vth of the thin film transistor is more than -2.4 V. Ce dispositif à semi-conducteur comprend un transistor à couches minces comprenant, sur un substrat : une couche semi-conductrice d'oxyde, qui comprend une région d'impureté contenant du bore en tant qu'impureté et une région de canal, et dans laquelle un rapport atomique de In sur tous les éléments métalliques est supérieur ou égal à 70 % atomique ; une pluralité de couches de film isolant ; et une pluralité de couches métalliques. La mobilité linéaire μlin du transistor à couches minces est supérieure ou égale à 15 cm2/Vs et la tension de seuil Vth du transistor à couches minces est supérieure à -2,4 V. 不純物としてホウ素を含有する不純物領域と、チャネル領域と、を備え、全金属元素に対するＩｎの原子比率が７０原子％以上の酸化物半導体層と、複数の絶縁膜層と、複数の金属層と、を基板の上に備え、線形移動度μｌｉｎが１５ｃｍ２／Ｖｓ以上であり、かつ閾値電圧Ｖｔｈが－２．４Ｖ超である薄膜トランジスタを有する半導体デバイス。