INDIUM PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING INDIUM PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL

This indium phosphide single crystal substrate has a circular main surface that is virtually divided by a square lattice having a lattice spacing of 1 mm. The square lattice is composed of a plurality of lattice points existing along a first direction and a second direction orthogonal to the first direction. A set comprising dislocation densities measured at each of the lattice points has each of a first whole-surface average value which is an average value for the set and a first whole-surface standard deviation which is the standard deviation of the set, and each of the dislocation densities is classified as one of a first level, a second level, and a third level. The lattice points at which the dislocation densities classified as the second level are measured are present in a region sandwiched between the outline of a first square region and the outline of a second square region, and a second average value which is an average value for a subset comprising the dislocation densities classified as the second level is 4.0-10.0 times a first average value which is an average value for a subset comprising the dislocation densities classified as the first level. Ce substrat monocristallin de phosphure d'indium présente une surface principale circulaire qui est virtuellement divisée par un réseau carré présentant un espacement de réseau de 1 mm. Le réseau carré est composé d'une pluralité de points de réseau existant le long d'une première direction et d'une seconde direction orthogonale à la première direction. Un ensemble comprenant des densités de dislocation mesurées au niveau de chacun des points de réseau présente chacune parmi une première valeur moyenne de surface entière qui est une valeur moyenne pour l'ensemble et un premier écart-type de surface entière qui est l'écart-type de l'ensemble, et chacune des densités de dislocation est classée comme étant l'un parmi un premier niveau, un deuxième niveau et un troisième niveau. Les points de réseau auxquels les densités de dislocation classées en tant que second niveau sont mesurées sont présents dans une région prise en sandwich entre le contour d'une première région carrée et le contour d'une seconde région carrée, et une seconde valeur moyenne qui est une valeur moyenne pour un sous-ensemble comprenant les densités de dislocation classées en tant que second niveau est de 4,0 à 10,0 fois une première valeur moyenne qui est une valeur moyenne pour un sous-ensemble comprenant les densités de dislocation c