MASKING POLYPEPTIDES, ACTIVATABLE CYTOKINE CONSTRUCTS, AND RELATED COMPOSITIONS AND METHODS
Provided herein are activatable cytokine constructs that include a novel masking moiety, a cytokine polypeptide, and a cleavable moiety between the masking moiety and the cytokine polypeptide. In some embodiments, the ACC is a monomer. In some embodiments, the ACC is a complex of two, three, four, o...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | Provided herein are activatable cytokine constructs that include a novel masking moiety, a cytokine polypeptide, and a cleavable moiety between the masking moiety and the cytokine polypeptide. In some embodiments, the ACC is a monomer. In some embodiments, the ACC is a complex of two, three, four, or more constructs. In some embodiments, the ACC is a dimer complex comprising a first monomer construct comprising a first cytokine polypeptide, a first masking moiety, and a first dimerization domain, and a second monomer construct comprising a second cytokine polypeptide and/or an agonist of the first cytokine polypeptide and a second dimerization domain, and optionally a second masking moiety, wherein the first and/or second masking moiety is the novel masking moiety.
L'invention concerne des constructions de cytokine activables qui comprennent une nouvelle fraction de masquage, un polypeptide de cytokine et une fraction clivable entre la fraction de masquage et le polypeptide de cytokine. Dans certains modes de réalisation, l'ACC est un monomère. Dans certains modes de réalisation, l'ACC est un complexe de deux, trois, quatre constructions ou plus. Dans certains modes de réalisation, l'ACC est un complexe dimère comprenant une première construction de monomère comprenant un premier polypeptide de cytokine, une première fraction de masquage et un premier domaine de dimérisation, et une seconde construction de monomère comprenant un second polypeptide de cytokine et/ou un agoniste du premier polypeptide de cytokine et un second domaine de dimérisation, et éventuellement une seconde fraction de masquage, la première et/ou la seconde fraction de masquage étant la nouvelle fraction de masquage. |
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