PATTERNED PRINT HEADS AND RESISTIVE ANODES FOR ELECTRODEPOSITION THICKNESS DISTRIBUTION CONTROL

Metal may be electroplated on a semiconductor substrate in an electroplating chamber with a micro inert anode array positioned proximate to the semiconductor substrate having one or more die. The micro inert anode array includes a plurality of micro inert anode elements that are independently controllable. Current applied to the micro inert anode elements provides a current distribution in the array that may be based at least in part on a die layout in the semiconductor substrate or based at least in part on global within-wafer corrections. The current distribution may achieve uniform plating thickness even with a non-uniform distribution of features in the die of the semiconductor substrate. In some implementations, current distribution may be adjusted in the array during substrate rotation according to a rotational path of the semiconductor substrate Un métal peut être électroplaqué sur un substrat à semi-conducteur dans une chambre d'électroplacage dotée d'un réseau de micro-anodes inertes positionné à proximité du substrat à semi-conducteur comportant une ou plusieurs puces. Le réseau de micro-anodes inertes comprend une pluralité d'éléments micro-anodes inertes pouvant être commandés indépendamment. Un courant appliqué aux éléments micro-anodes inertes fournit une distribution de courant dans le réseau pouvant être fondée, au moins en partie, sur un agencement de puces dans le substrat à semi-conducteur ou au moins en partie, sur des corrections globales à l'intérieur de la tranche. La distribution de courant peut permettre d'obtenir une épaisseur de placage uniforme même avec une distribution non uniforme de caractéristiques dans la puce du substrat à semi-conducteur. Selon certains modes de réalisation, la distribution de courant peut être réglée dans le réseau pendant la rotation du substrat en fonction d'un trajet de rotation du substrat à semi-conducteur.