MANUFACTURING METHOD OF A LED ARRAY PRECURSOR WITH ELECTRICAL CONTACTS ON SAME SIDE, CORRESPONDING PRECURSOR, LED ARRAY AND DEVICES COMPRISING THE SAME

The present international application provides a manufacturing method of forming a light-emitting diode (LED) array precursor (10) and LED arrays precursors, LED arrays and devices comprising the same. The method comprises: providing a substrate (100); forming one or more first layers (120) on an epi surface side (102) of the substrate, wherein the one or more first layers at least comprise a first semiconductor layer (120b) and wherein further one or more first layers, if any, further comprise buffer layers (120a) stacked between the substrate and the first semiconductor layer; selectively masking said one or more first layers by thereon depositing one or more masking layers (140) wherein unmasked portions of said one or more first layers form a plurality of apertures (142); forming microstructures (160) within at least part (142a) of the apertures, wherein the microstructures are in physical contact with the first semiconductor layer; forming both anode and cathode electrical contacts (180a, b) on the epi surface side (102) of the substrate (100). La présente invention concerne un procédé de fabrication de formation d'un précurseur de réseau de diodes électroluminescentes (DEL) (10) et de précurseurs de réseaux de DEL, des réseaux de DEL et des dispositifs les comprenant. Le procédé consiste à : fournir un substrat (100) ; former une ou plusieurs premières couches (120) sur un côté de surface épitaxiale (102) du substrat, l'une ou plusieurs premières couches comprenant au moins une première couche semi-conductrice (120b) et en outre une ou plusieurs premières couches, le cas échéant, comprenant en outre des couches tampons (120a) empilées entre le substrat et la première couche semi-conductrice ; masquer sélectivement ladite ou lesdites premières couches par dépôt sur celle-ci d'une ou de plusieurs couches de masquage (140), des parties non masquées de ladite ou desdites premières couches formant une pluralité d'ouvertures (142) ; former des microstructures (160) à l'intérieur d'au moins une partie (142a) des ouvertures, les microstructures étant en contact physique avec la première couche semi-conductrice ; former à la fois des contacts électriques d'anode et de cathode (180a, b) sur le côté de surface épitaxiale (102) du substrat (100).