SEMICONDUCTOR DEVICE

A semiconductor device (1) includes a vertical MOS transistor (10) having: a plurality of first trenches (17) which are formed so as to pass through a body region (18) from the upper surface of a low-concentration impurity layer (33), and which extend in a first direction; and a plurality of second trenches (27) which are formed so as to pass through the body region (18) from the upper surface of the low-concentration impurity layer (33) and so as to be deeper than the plurality of first trenches (17), and which extend in the first direction. The plurality of first trenches (17) and the plurality of second trenches (27) are alternately disposed in a second direction. A first conductor (15) connected to a gate electrode (19) is formed on the inside of the plurality of first trenches (17) and on the upper side inside the plurality of second trenches (27). A second conductor (25) connected to a source electrode (11) is formed on the lower side inside the plurality of second trenches (27). The interval between the second conductors (25) is twice the interval of the first conductors (15) in the second direction. Un dispositif à semi-conducteur (1) comprend un transistor MOS vertical (10) ayant : une pluralité de premières tranchées (17) qui sont formées de façon à passer à travers une région de corps (18) à partir de la surface supérieure d'une couche d'impureté à faible concentration (33), et qui s'étendent dans une première direction ; et une pluralité de secondes tranchées (27) qui sont formées de façon à passer à travers la région de corps (18) à partir de la surface supérieure de la couche d'impuretés à faible concentration (33) et de façon à être plus profondes que la pluralité de premières tranchées (17), et qui s'étendent dans la première direction. La pluralité de premières tranchées (17) et la pluralité de secondes tranchées (27) sont disposées en alternance dans une seconde direction. Un premier conducteur (15) connecté à une électrode de grille (19) est formé sur l'intérieur de la pluralité de premières tranchées (17) et sur le côté supérieur à l'intérieur de la pluralité de secondes tranchées (27). Un second conducteur (25) connecté à une électrode de source (11) est formé sur le côté inférieur à l'intérieur de la pluralité de secondes tranchées (27). L'intervalle entre les seconds conducteurs (25) est le double de l'intervalle des premiers conducteurs (15) dans la seconde direction. 低濃度不純物層（３３）の上面から、ボディ領域（１８）を貫通して形成され、第１の方向に延在する複数の第１のトレンチ（１７）と、低濃度