DRIVE CIRCUIT

Provided is a drive circuit (1), wherein a common substrate (10) generates a common drive signal (DRS) for on/off control of a plurality of power semiconductor elements (61p-63p) connected in parallel. Each of a plurality of individual substrates (30a, 31, 30c) is individually provided to a corresponding power semiconductor element, and supplies the drive signal to the corresponding power semiconductor element. Among the plurality of individual substrates, one individual substrate or some of the individual substrates (31) include(s) a detection circuit (41). The detection circuit (41) changes the drive signal (DRS) by transmitting an abnormality detection signal (DTS) to the plurality of individual substrates and the common substrate when an abnormality in the electrical characteristics of the corresponding power semiconductor element (62p) is detected. L'invention concerne un circuit d'attaque (1), un substrat commun (10) générant un signal d'attaque (DRS) commun pour une commande de mise sous tension/hors tension d'une pluralité d'éléments semi-conducteurs de puissance (61p-63p) connectés en parallèle. Chacun d'une pluralité de substrats individuels (30a, 31, 30c) est fourni individuellement à un élément semi-conducteur de puissance correspondant, et fournit le signal d'attaque à l'élément semi-conducteur de puissance correspondant. Parmi la pluralité de substrats individuels, un substrat individuel ou certains des substrats individuels (31) comprend/comprennent un circuit de détection (41). Le circuit de détection (41) modifie le signal d'attaque (DRS) par la transmission d'un signal de détection d'anomalie (DTS) à la pluralité de substrats individuels et au substrat commun lorsqu'une anomalie dans les caractéristiques électriques de l'élément semi-conducteur de puissance correspondant (62p) est détectée. 駆動回路（１）において、共通基板（１０）は、並列接続された複数の電力用半導体素子（６１ｐ～６３ｐ）のオンおよびオフを制御するための共通の駆動信号（ＤＲＳ）を生成する。複数の個別基板（３０ａ，３１，３０ｃ）の各々は、対応する電力用半導体素子に対して個別に設けられ、対応する電力用半導体素子に上記駆動信号を供給する。複数の個別基板のうちの、一つの個別基板または一部の個別基板の各々（３１）は検出回路（４１）を含む。検出回路（４１）は、対応する電力用半導体素子（６２ｐ）の電気特性の異常を検出した場合に上記の複数の個別基板および共通基板に異常検出信号（ＤＴＳ）を送信することにより、駆動信号（ＤＲＳ）を変更させる。