DIODE AND HIGH-FREQUENCY DEVICE
[Problem] To provide a minute resonance tunnel diode in which deterioration of high-frequency characteristics is suppressed. [Solution] A diode according to the present disclosure comprises: a conductive layer; a resonance tunnel diode element having a first surface electrically connected to the con...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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| creator | MURAYAMA Masahiro MOTOBAYASHI Hisayoshi SHIBATA Norihiko |
| description | [Problem] To provide a minute resonance tunnel diode in which deterioration of high-frequency characteristics is suppressed. [Solution] A diode according to the present disclosure comprises: a conductive layer; a resonance tunnel diode element having a first surface electrically connected to the conductive layer, a second surface opposite to the first surface, and a side surface between the first surface and the second surface; a first insulating layer provided on the side surface of the resonance tunnel diode element and thicker than the resonance tunnel diode element in a direction perpendicular to the first surface; a first electrode provided on the second surface of the resonance tunnel diode element and on the first insulating layer; and a second electrode electrically connected to the conductive layer.
Le problème décrit par la présente invention est de fournir une diode tunnel à résonance minuscule dans laquelle la détérioration des caractéristiques haute fréquence est supprimée. La solution selon l'invention concerne une diode comprenant : une couche conductrice ; un élément de diode tunnel de résonance ayant une première surface connectée électriquement à la couche conductrice, une seconde surface opposée à la première surface, et une surface latérale entre la première surface et la seconde surface ; une première couche isolante disposée sur la surface latérale de l'élément de diode tunnel de résonance et plus épaisse que l'élément de diode tunnel de résonance dans une direction perpendiculaire à la première surface ; une première électrode disposée sur la seconde surface de l'élément de diode tunnel de résonance et sur la première couche isolante ; et une seconde électrode connectée électriquement à la couche conductrice.
［課題］高周波特性の劣化を抑制した微細な共鳴トンネルダイオードを提供する。 ［解決手段］本開示によるダイオードは、導電層と、導電層に電気的に接続する第１面、第１面に対して反対側にある第２面、および、第１面と第２面との間にある側面を含む共鳴トンネルダイオード素子と、共鳴トンネルダイオード素子の側面に設けられた第１絶縁層であって、第１面に対して垂直方向の厚みが共鳴トンネルダイオード素子の厚みよりも厚い第１絶縁層と、共鳴トンネルダイオード素子の第２面上および第１絶縁層上に設けられた第１電極と、導電層に電気的に接続された第２電極とを備える。 |
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Le problème décrit par la présente invention est de fournir une diode tunnel à résonance minuscule dans laquelle la détérioration des caractéristiques haute fréquence est supprimée. La solution selon l'invention concerne une diode comprenant : une couche conductrice ; un élément de diode tunnel de résonance ayant une première surface connectée électriquement à la couche conductrice, une seconde surface opposée à la première surface, et une surface latérale entre la première surface et la seconde surface ; une première couche isolante disposée sur la surface latérale de l'élément de diode tunnel de résonance et plus épaisse que l'élément de diode tunnel de résonance dans une direction perpendiculaire à la première surface ; une première électrode disposée sur la seconde surface de l'élément de diode tunnel de résonance et sur la première couche isolante ; et une seconde électrode connectée électriquement à la couche conductrice.
［課題］高周波特性の劣化を抑制した微細な共鳴トンネルダイオードを提供する。 ［解決手段］本開示によるダイオードは、導電層と、導電層に電気的に接続する第１面、第１面に対して反対側にある第２面、および、第１面と第２面との間にある側面を含む共鳴トンネルダイオード素子と、共鳴トンネルダイオード素子の側面に設けられた第１絶縁層であって、第１面に対して垂直方向の厚みが共鳴トンネルダイオード素子の厚みよりも厚い第１絶縁層と、共鳴トンネルダイオード素子の第２面上および第１絶縁層上に設けられた第１電極と、導電層に電気的に接続された第２電極とを備える。</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20241010&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024209813A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25563,76318</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20241010&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024209813A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MURAYAMA Masahiro</creatorcontrib><creatorcontrib>MOTOBAYASHI Hisayoshi</creatorcontrib><creatorcontrib>SHIBATA Norihiko</creatorcontrib><title>DIODE AND HIGH-FREQUENCY DEVICE</title><description>[Problem] To provide a minute resonance tunnel diode in which deterioration of high-frequency characteristics is suppressed. [Solution] A diode according to the present disclosure comprises: a conductive layer; a resonance tunnel diode element having a first surface electrically connected to the conductive layer, a second surface opposite to the first surface, and a side surface between the first surface and the second surface; a first insulating layer provided on the side surface of the resonance tunnel diode element and thicker than the resonance tunnel diode element in a direction perpendicular to the first surface; a first electrode provided on the second surface of the resonance tunnel diode element and on the first insulating layer; and a second electrode electrically connected to the conductive layer.
Le problème décrit par la présente invention est de fournir une diode tunnel à résonance minuscule dans laquelle la détérioration des caractéristiques haute fréquence est supprimée. La solution selon l'invention concerne une diode comprenant : une couche conductrice ; un élément de diode tunnel de résonance ayant une première surface connectée électriquement à la couche conductrice, une seconde surface opposée à la première surface, et une surface latérale entre la première surface et la seconde surface ; une première couche isolante disposée sur la surface latérale de l'élément de diode tunnel de résonance et plus épaisse que l'élément de diode tunnel de résonance dans une direction perpendiculaire à la première surface ; une première électrode disposée sur la seconde surface de l'élément de diode tunnel de résonance et sur la première couche isolante ; et une seconde électrode connectée électriquement à la couche conductrice.
［課題］高周波特性の劣化を抑制した微細な共鳴トンネルダイオードを提供する。 ［解決手段］本開示によるダイオードは、導電層と、導電層に電気的に接続する第１面、第１面に対して反対側にある第２面、および、第１面と第２面との間にある側面を含む共鳴トンネルダイオード素子と、共鳴トンネルダイオード素子の側面に設けられた第１絶縁層であって、第１面に対して垂直方向の厚みが共鳴トンネルダイオード素子の厚みよりも厚い第１絶縁層と、共鳴トンネルダイオード素子の第２面上および第１絶縁層上に設けられた第１電極と、導電層に電気的に接続された第２電極とを備える。</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZJB38fR3cVVw9HNR8PB099B1C3INDHX1c45UcHEN83R25WFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8eH-RgZGJkYGlhaGxo6GxsSpAgA3EyI7</recordid><startdate>20241010</startdate><enddate>20241010</enddate><creator>MURAYAMA Masahiro</creator><creator>MOTOBAYASHI Hisayoshi</creator><creator>SHIBATA Norihiko</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20241010</creationdate><title>DIODE AND HIGH-FREQUENCY DEVICE</title><author>MURAYAMA Masahiro ; MOTOBAYASHI Hisayoshi ; SHIBATA Norihiko</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2024209813A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2024</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>MURAYAMA Masahiro</creatorcontrib><creatorcontrib>MOTOBAYASHI Hisayoshi</creatorcontrib><creatorcontrib>SHIBATA Norihiko</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>MURAYAMA Masahiro</au><au>MOTOBAYASHI Hisayoshi</au><au>SHIBATA Norihiko</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>DIODE AND HIGH-FREQUENCY DEVICE</title><date>2024-10-10</date><risdate>2024</risdate><abstract>[Problem] To provide a minute resonance tunnel diode in which deterioration of high-frequency characteristics is suppressed. [Solution] A diode according to the present disclosure comprises: a conductive layer; a resonance tunnel diode element having a first surface electrically connected to the conductive layer, a second surface opposite to the first surface, and a side surface between the first surface and the second surface; a first insulating layer provided on the side surface of the resonance tunnel diode element and thicker than the resonance tunnel diode element in a direction perpendicular to the first surface; a first electrode provided on the second surface of the resonance tunnel diode element and on the first insulating layer; and a second electrode electrically connected to the conductive layer.
Le problème décrit par la présente invention est de fournir une diode tunnel à résonance minuscule dans laquelle la détérioration des caractéristiques haute fréquence est supprimée. La solution selon l'invention concerne une diode comprenant : une couche conductrice ; un élément de diode tunnel de résonance ayant une première surface connectée électriquement à la couche conductrice, une seconde surface opposée à la première surface, et une surface latérale entre la première surface et la seconde surface ; une première couche isolante disposée sur la surface latérale de l'élément de diode tunnel de résonance et plus épaisse que l'élément de diode tunnel de résonance dans une direction perpendiculaire à la première surface ; une première électrode disposée sur la seconde surface de l'élément de diode tunnel de résonance et sur la première couche isolante ; et une seconde électrode connectée électriquement à la couche conductrice.
［課題］高周波特性の劣化を抑制した微細な共鳴トンネルダイオードを提供する。 ［解決手段］本開示によるダイオードは、導電層と、導電層に電気的に接続する第１面、第１面に対して反対側にある第２面、および、第１面と第２面との間にある側面を含む共鳴トンネルダイオード素子と、共鳴トンネルダイオード素子の側面に設けられた第１絶縁層であって、第１面に対して垂直方向の厚みが共鳴トンネルダイオード素子の厚みよりも厚い第１絶縁層と、共鳴トンネルダイオード素子の第２面上および第１絶縁層上に設けられた第１電極と、導電層に電気的に接続された第２電極とを備える。</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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