DIODE AND HIGH-FREQUENCY DEVICE
[Problem] To provide a minute resonance tunnel diode in which deterioration of high-frequency characteristics is suppressed. [Solution] A diode according to the present disclosure comprises: a conductive layer; a resonance tunnel diode element having a first surface electrically connected to the con...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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Zusammenfassung: | [Problem] To provide a minute resonance tunnel diode in which deterioration of high-frequency characteristics is suppressed. [Solution] A diode according to the present disclosure comprises: a conductive layer; a resonance tunnel diode element having a first surface electrically connected to the conductive layer, a second surface opposite to the first surface, and a side surface between the first surface and the second surface; a first insulating layer provided on the side surface of the resonance tunnel diode element and thicker than the resonance tunnel diode element in a direction perpendicular to the first surface; a first electrode provided on the second surface of the resonance tunnel diode element and on the first insulating layer; and a second electrode electrically connected to the conductive layer.
Le problème décrit par la présente invention est de fournir une diode tunnel à résonance minuscule dans laquelle la détérioration des caractéristiques haute fréquence est supprimée. La solution selon l'invention concerne une diode comprenant : une couche conductrice ; un élément de diode tunnel de résonance ayant une première surface connectée électriquement à la couche conductrice, une seconde surface opposée à la première surface, et une surface latérale entre la première surface et la seconde surface ; une première couche isolante disposée sur la surface latérale de l'élément de diode tunnel de résonance et plus épaisse que l'élément de diode tunnel de résonance dans une direction perpendiculaire à la première surface ; une première électrode disposée sur la seconde surface de l'élément de diode tunnel de résonance et sur la première couche isolante ; et une seconde électrode connectée électriquement à la couche conductrice.
[課題]高周波特性の劣化を抑制した微細な共鳴トンネルダイオードを提供する。 [解決手段]本開示によるダイオードは、導電層と、導電層に電気的に接続する第1面、第1面に対して反対側にある第2面、および、第1面と第2面との間にある側面を含む共鳴トンネルダイオード素子と、共鳴トンネルダイオード素子の側面に設けられた第1絶縁層であって、第1面に対して垂直方向の厚みが共鳴トンネルダイオード素子の厚みよりも厚い第1絶縁層と、共鳴トンネルダイオード素子の第2面上および第1絶縁層上に設けられた第1電極と、導電層に電気的に接続された第2電極とを備える。 |
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