ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON-CARBON-AND-NITROGEN-CONTAINING MATERIALS

Exemplary methods of semiconductor processing may include providing a first precursor to a semiconductor processing chamber. A substrate may be disposed within a processing region of the semiconductor processing chamber. The substrate may define a feature. The methods may include contacting the substrate with the first precursor. The contacting may form a first portion of a silicon-carbon-and-nitrogen-containing material on the substrate. The methods may include providing a second precursor to the semiconductor processing chamber. The methods may include contacting the substrate with the second precursor. The contacting may form the silicon-carbon-and-nitrogen-containing material on the substrate. The silicon-carbon-and-nitrogen-containing material may be void free. Des procédés de traitement de semi-conducteur donnés à titre d'exemple peuvent comprendre l'apport d'un premier précurseur dans une chambre de traitement de semi-conducteur. Un substrat peut être situé dans une région de traitement de la chambre de traitement de semi-conducteur. Le substrat peut définir une caractéristique. Les procédés peuvent comprendre la mise en contact du substrat avec le premier précurseur. La mise en contact peut former une première partie d'un matériau contenant de l'azote et du carbone-silicium sur le substrat. Les procédés peuvent comprendre l'apport d'un second précurseur dans la chambre de traitement de semi-conducteur. Les procédés peuvent de plus consister à mettre en contact le substrat avec le second précurseur. La mise en contact peut former le matériau contenant du silicium-carbone et de l'azote sur le substrat. Le matériau contenant du silicium-carbone et de l'azote peut être exempt de vide.