COMPRESSIVE FILMS FOR LARGE AREA GAPFILL

Exemplary methods of semiconductor processing may include providing a silicon-containing precursor to a processing region of a semiconductor processing chamber. A substrate may be disposed within the semiconductor processing chamber. The methods may include forming a silicon-containing material on the substrate. The silicon-containing material may be characterized by a stress of greater than or about - 200 MPa. The methods may include annealing the substrate at a temperature of greater than or about 700 °C. Des exemples de procédés de traitement de semi-conducteurs peuvent consister à introduire un précurseur contenant du silicium dans une zone de traitement d'une chambre de traitement de semi-conducteurs. Un substrat peut être situé à l'intérieur de la chambre de traitement de semi-conducteur. Les procédés peuvent consister à former une matière contenant du silicium sur le substrat. La matière contenant du silicium peut être caractérisée par une contrainte supérieure ou égale à environ - 200 MPa. Les procédés peuvent comprendre le recuit du substrat à une température supérieure ou égale à environ 700°C.