METAL MASK BASE MATERIAL, PRODUCTION METHOD FOR METAL MASK BASE MATERIAL, AND PRODUCTION METHOD FOR METAL MASK
This metal mask base material is constituted by an iron-nickel-based alloy. The metal mask base material exhibits a KAM value of not less than 2.18° as obtained by an electron backscatter diffraction method in which a step size is set to 0.5 μm and a crystal grain boundary is considered to be a boun...
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; jpn |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | This metal mask base material is constituted by an iron-nickel-based alloy. The metal mask base material exhibits a KAM value of not less than 2.18° as obtained by an electron backscatter diffraction method in which a step size is set to 0.5 μm and a crystal grain boundary is considered to be a boundary where the difference in crystal orientation is not less than 5°. The metal mask base material has a thickness of 10-30 μm.
Le matériau de base de masque métallique selon la présente demande est constitué d'un alliage à base de fer-nickel. Le matériau de base de masque métallique présente une valeur KAM supérieure ou égale à 2,18°, telle qu'obtenue par un procédé de diffraction par rétrodiffusion d'électrons dans lequel la taille du pas est fixée à 0,5 µm et un joint de grain cristallin est considéré comme un joint où la différence d'orientation cristalline n'est pas inférieure à 5°. Le matériau de base de masque métallique présente une épaisseur de 10 à 30 µm.
メタルマスク用基材は、鉄-ニッケル系合金から構成される。メタルマスク用基材では、ステップサイズを0.5μmに設定し、かつ、結晶方位の差が5°以上である境界を結晶粒界とみなす場合において、電子線後方散乱回折法によって得られたKAM値が2.18°以上である。メタルマスク用基材は、10μm以上30μm以下の厚さを有する。 |
---|