SILICON INGOT, CRUCIBLE FOR SILICON INGOT PRODUCTION, METHOD FOR MANUFACTURING CRUCIBLE FOR SILICON INGOT PRODUCTION, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON INGOT

This silicon ingot is composed of a unidirectional solidification structure, in which the number density of dissimilar inclusions having an equivalent circle diameter of at least 3 μm is less than 0.01/cm2. This crucible (20) for silicon ingot production has: slurry layers (23) each composed of fine silica powder having an average particle size of 1-200 μm and colloidal silica; and stucco layers (24) each composed of coarse silica powder having an average particle size of 100-1000 μm, wherein the slurry layers (23) and the stucco layers (24) are alternately laminated in the thickness direction on the inner surface of a mold (21), with the innermost layer in contact with a silicon ingot being a slurry layer (23), and the total number of the laminated slurry layers (23) and stucco layers (24) is at least 6. Ce lingot de silicium est composé d'une structure de solidification unidirectionnelle, dans laquelle la densité en nombre d'inclusions dissemblables possédant un diamètre de cercle équivalent d'au moins 3 µm est inférieure à 0,01/cm2. Ce creuset (20) à des fins de production de lingot de silicium comprend : des couches de suspension (23) composées chacune d'une poudre fine de silice possédant une taille de particule moyenne de 1 à 200 µm et de la silice colloïdale ; et des couches de stuc (24) composées chacune de poudre grossière de silice possédant une taille de particule moyenne de 100 à 1 000 µm, les couches de suspension (23) et les couches de stuc (24) étant stratifiées en alternance dans le sens de l'épaisseur sur la surface interne d'un moule (21), la couche la plus à l'intérieur en contact avec un lingot de silicium étant une couche de suspension (23), le nombre total des couches de suspension (23) et des couches de stuc (24) stratifiées étant d'au moins 6. このシリコンインゴットは、一方向凝固組織からなり、円相当径が３μｍ以上の異種介在物の個数密度が０．０１個／ｃｍ２未満である。このシリコンインゴット製造用ルツボ（２０）は、鋳型（２１）の内面に、平均粒径が１μｍ以上２００μｍ以下の微細シリカ粉末とコロイダルシリカからなるスラリー層（２３）と、平均粒径が１００μｍ以上１０００μｍ以下の粗大シリカ粉末からなるスタッコ層（２４）とが、厚さ方向に交互に積層されており、シリコンインゴットと接触する最内層がスラリー層（２３）とされ、積層されたスラリー層（２３）およびスタッコ層（２４）の合計層数が６以上である。