SEMICONDUCTOR DEVICE

A semiconductor device (A10) comprises a first die pad (21), a first semiconductor element (11), a second die pad (22), a second semiconductor element (12), an encapsulating resin (50), a first lead (23), a second lead (24), a third lead (25), and a fourth lead (26). Each of the first lead, the second lead, the third lead, and the fourth lead is separated from a third side surface (55) and a fourth side surface (56) of the encapsulating resin, and is exposed to the outside from either of a first side surface (53) and a second side surface (54) of the encapsulating resin. As seen in a third direction (z) that is orthogonal to a first direction (x) and a second direction (y), the area of the first die pad is larger than the area of the second die pad. As seen in the third direction, each of the first lead and the third lead is separated from a first virtual line (VL1) toward a side where the first side surface of the encapsulating resin is positioned in the first direction. Un dispositif à semi-conducteur (a10) comprend un premier plot de puce (21), un premier élément semi-conducteur (11), un deuxième plot de puce (22), un deuxième élément semi-conducteur (12), une résine d'encapsulation (50), un premier fil (23), un deuxième fil (24), un troisième fil (25) et un quatrième fil (26). Chacun du premier fil, du deuxième fil, du troisième fil et du quatrième fil est séparé d'une troisième surface latérale (55) et d'une quatrième surface latérale (56) de la résine d'encapsulation, et est exposé à l'extérieur à partir de l'une ou l'autre d'une première surface latérale (53) et d'une deuxième surface latérale (54) de la résine d'encapsulation. Vue dans un troisième sens (z) qui est orthogonal à un premier sens (x) et à un deuxième sens (y), la zone du premier plot de puce est plus grande que la zone du deuxième plot de puce. Vu dans le troisième sens, chacun du premier fil et du troisième fil est séparé d'une première ligne virtuelle (VL1) vers un côté où la première surface latérale de la résine d'encapsulation est positionnée dans le premier sens. 半導体装置（Ａ１０）は、第１ダイパッド（２１）、第１半導体素子（１１）、第２ダイパッド（２２）、第２半導体素子（１２）、封止樹脂（５０）、第１リード（２３）、第２リード（２４）、第３リード（２５）および第４リード（２６）を備える。前記第１リード、前記第２リード、前記第３リードおよび前記第４リードの各々は、前記封止樹脂の第３側面（５５）および第４側面（５６）から離れており、かつ前記封止樹脂の第１側面（５３）および第２側面（５４）のいずれかから外部に露出している。第１方向（ｘ）および第２方向（ｙ）に対して直交する第３方向（ｚ）に視て、前記第１ダイパッドの面積は、前記第２ダイパッドの面積よりも大きい。前記第３方向に視て、前記第１リードおよび前記第３リードの各々は、第１仮想線（ＶＬ１）よりも前記第１方向において前記封止樹脂の前記第１側面が位置する側に離れている。