NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

According to the present invention, the on-resistance is reduced, the maximum drain current is increased, and the gate leakage current is reduced. This nitride semiconductor device comprises: a substrate (1); a first nitride semiconductor layer (3) provided on the substrate (1); a second nitride semiconductor layer (4) which is in contact with the first nitride semiconductor layer (3) and has a larger bandgap compared to the first nitride semiconductor layer (3); a gate layer (6) which is composed of a p-type nitride semiconductor and selectively formed on the second nitride semiconductor layer (4); a drain layer (7) which is composed of a p-type nitride semiconductor and provided separately from the gate layer (6); and a drain electrode (11) which is electrically connected to both the second nitride semiconductor layer (4) and the drain layer (7), wherein the second nitride semiconductor layer (4) selectively has a region (8) to which n-type impurities are added, and a gate-side end part of the region (8) to which n-type impurities are added is between the gate layer (6) and the drain layer (7). Selon la présente invention, la résistance à l'état passant est réduite, le courant de drain maximal est augmenté, et le courant de fuite de grille est réduit. Ce dispositif à semi-conducteur au nitrure comprend : un substrat (1) ; une première couche semi-conductrice au nitrure (3) disposée sur le substrat (1) ; une seconde couche semi-conductrice au nitrure (4) qui est en contact avec la première couche semi-conductrice au nitrure (3) et qui possède une bande interdite plus grande par rapport à la première couche semi-conductrice au nitrure (3) ; une couche de grille (6) qui est composée d'un semi-conducteur au nitrure de type p et qui est formée sélectivement sur la seconde couche semi-conductrice au nitrure (4) ; une couche de drain (7) qui est composée d'un semi-conducteur au nitrure de type p et qui est disposée séparément de la couche de grille (6) ; et une électrode de drain (11) qui est connectée électriquement à la fois à la seconde couche semi-conductrice au nitrure (4) et à la couche de drain (7), la seconde couche semi-conductrice au nitrure (4) possédant sélectivement une région (8) à laquelle des impuretés de type n sont ajoutées, une partie d'extrémité côté grille de la région (8) à laquelle des impuretés de type n sont ajoutées se trouvant entre la couche de grille (6) et la couche de drain (7). オン抵抗を低減し、最大ドレイン電流を増加し、ゲートリーク電流を低減させる。窒化物半導体装置は、基板（１）