SEMICONDUCTOR DEVICE, LIGHT DETECTION DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Provided is a semiconductor device that can prevent a contact part from coming off a gate electrode, even if an overlapping deviation between the gate electrode and the contact part occurs. This semiconductor device comprises a first semiconductor substrate, a field effect transistor, a second semiconductor substrate, and a contact part. The field effect transistor is formed on the first semiconductor substrate and has a diffusion layer region where a channel is formed and a gate electrode. The second semiconductor substrate is bonded to the first semiconductor substrate and has a connection part for supplying power to the gate electrode. The contact part is connected to the connection part and extends in the thickness direction of the second semiconductor substrate. The gate electrode has a first layer, and a second layer formed on a bonding side of the first layer with the second semiconductor substrate and having a second width greater than the first width of the first layer. The second layer of the gate electrode and the connection part are electrically connected via the contact part. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui peut empêcher une partie de contact de sortir d'une électrode de grille, même si un écart de chevauchement entre l'électrode de grille et la partie de contact survient. Ce dispositif à semi-conducteur comprend un premier substrat semi-conducteur, un transistor à effet de champ, un second substrat semi-conducteur et une partie de contact. Le transistor à effet de champ est formé sur le premier substrat semi-conducteur et comprend une région de couche de diffusion dans laquelle un canal est formé et une électrode de grille. Le second substrat semi-conducteur est lié au premier substrat semi-conducteur et comprend une partie de connexion pour alimenter l'électrode de grille. La partie de contact est connectée à la partie de connexion et s'étend dans le sens de l'épaisseur du second substrat semi-conducteur. L'électrode de grille comprend une première couche, et une seconde couche formée sur un côté de liaison de la première couche avec le second substrat semi-conducteur et présentant une seconde largeur supérieure à la première largeur de la première couche. La seconde couche de l'électrode de grille et la partie de connexion sont électriquement connectées par l'intermédiaire de la partie de contact. ゲート電極とコンタクト部との重ね合わせズレが起きても、コンタクト部がゲート電極を踏み外すことを防止することが可能な半導体装置を提供する。半導体装置は、第１の半導体基板と、電界効果トランジスタと、第２の半導体基板とコンタクト部とを備える。電界