OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PROCESSING THE SAME

The invention concerns an optoelectronic device and in particular a µLED, comprising: a semiconductor layer stack, with a first doped layer having a first doping type and a second doped layer having a second doping type and an active layer between the first and second doped layer. A material of the semiconductor layer stack comprises AlGaAs and/or GaAs. The semiconductor layer stack comprises mesa-etched sidewalls extending from the first doped layer to the second doped layer. A functional structure is arranged on the surface of the mesa- etched sidewalls at least at the active layer causing a reduction of the radiative recombination lifetime. L'invention concerne un dispositif optoélectronique et en particulier un µLED, comprenant : un empilement de couches semi-conductrices, avec une première couche dopée ayant un premier type de dopage et une seconde couche dopée ayant un second type de dopage et une couche active entre les première et seconde couches dopées. Un matériau de l'empilement de couches semi-conductrices comprend AlGaAs et/ou GaAs. L'empilement de couches semi-conductrices comprend des parois latérales gravées en mesa s'étendant de la première couche dopée à la seconde couche dopée. Une structure fonctionnelle est disposée sur la surface des parois latérales gravées en mesa au moins au niveau de la couche active provoquant une réduction de la durée de vie de recombinaison radiative.