METAL SUBSTRATE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING A METAL SUBSTRATE STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR POWER MODULE AND SEMICONDUCTOR POWER MODULE

A metal substrate structure (10) for a semiconductor power module comprises a circuit metallization layer (11), a metal bottom layer (13) that coupled with the circuit metallization layer (11), and an isolating dielectric layer (12) that is coupled with and arranged between the circuit metallization layer (11) and the metal bottom layer (13) with respect to a stacking direction (A). The circuit metallization layer (11) or the dielectric layer (12) at least locally forms a top layer of the metal substrate structure (10), and the top layer and the bottom layer (13) comprise a fixation area (18) configured for receiving a fixing element (16) to fix the metal substrate structure (10) to a further component (14) of the semiconductor power module. At least the top layer comprises a stress relief recess (15). Une structure de substrat métallique (10) pour un module d'alimentation à semi-conducteur comprend une couche de métallisation de circuit (11), une couche inférieure métallique (13) couplée à la couche de métallisation de circuit (11), et une couche diélectrique isolante (12) couplée et disposée entre la couche de métallisation de circuit (11) et la couche inférieure métallique (13) par rapport à une direction d'empilement (A). La couche de métallisation de circuit (11) ou la couche diélectrique (12) forme au moins localement une couche supérieure de la structure de substrat métallique (10), et la couche supérieure et la couche inférieure (13) comprennent une zone de fixation (18) configurée pour recevoir un élément de fixation (16) afin de fixer la structure de substrat métallique (10) à un autre composant (14) du module d'alimentation à semi-conducteur. Au moins la couche supérieure comprend un évidement de soulagement de contrainte (15).