VERTICAL WORDLINE DRIVER STRUCTURES AND METHODS

Vertical wordline driver structures and methods. The vertical wordline driver comprises a transistor that is used to drive a wordline in a three-dimensional 3D memory structure. A vertical transistor structure is formed in a semiconductor substrate comprising a gate all around (GAA) structure or a double-gate structure including a gate oxide, an amorphous IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) channel, adjacent to the gate oxide, and a liner adjacent to the amorphous IGZO channel. The GAA structure may comprise a conical frustrum shape or a cylindrical shape with straight walls. The double-gate structure may have straight or angled walls. An outer wall of the gate oxide is in contact with a polysilicon gate layer. An upper and lower contact is electrically coupled to the amorphous IGZO channel. L'invention concerne des structures et des procédés de commande de ligne de mots verticale. La commande de ligne de mots verticale comprend un transistor qui est utilisé pour commander une ligne de mots dans une structure de mémoire 3D tridimensionnelle. Une structure de transistor vertical est formée dans un substrat semi-conducteur comprenant une structure à grille enveloppante (GAA) ou une structure à double grille comprenant un oxyde de grille, un canal IGZO amorphe (oxyde de zinc indium gallium) adjacent à l'oxyde de grille, et un revêtement adjacent au canal IGZO amorphe. La structure GAA peut comprendre une forme tronconique ou une forme cylindrique à parois droites. La structure à double grille peut comporter des parois droites ou inclinées. Une paroi externe de l'oxyde de grille est en contact avec une couche de grille en polysilicium. Un contact supérieur et un contact inférieur sont couplés électriquement au canal IGZO amorphe.