SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM

The present invention comprises: a processing chamber for processing a substrate; a dielectric plate provided to the processing chamber; an electromagnetic wave supply unit for supplying electromagnetic waves to the dielectric plate; a heating medium supply unit capable of supplying a heating medium to the dielectric plate; and a control unit configured to be capable of performing control so that the heating medium is supplied to the dielectric plate if the temperature of the dielectric plate is equal to or lower than a predetermined temperature prior to processing of the substrate. La présente invention comprend : une chambre de traitement pour traiter un substrat ; une plaque diélectrique disposée sur la chambre de traitement ; une unité d'alimentation en ondes électromagnétiques pour fournir des ondes électromagnétiques à la plaque diélectrique ; une unité d'alimentation en milieu chauffant qui permet de fournir un milieu chauffant à la plaque diélectrique ; et une unité de commande configurée pour permettre de réaliser une commande de telle sorte que le milieu chauffant soit fourni à la plaque diélectrique si la température de la plaque diélectrique est égale ou inférieure à une température prédéterminée avant le traitement du substrat. 基板を処理する処理室と、前記処理室に設けられた誘電体板と、前記誘電体板に電磁波を供給する電磁波供給部と、前記誘電体板に加熱媒体を供給可能な加熱媒体供給部と、基板を処理する前に、前記誘電体板の温度が所定温度以下であれば、前記誘電体板に前記加熱媒体を供給するよう制御することが可能なよう構成される制御部と、を有する。