OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR UNIT AS WELL AS COMPONENTS AND A PRODUCTION METHOD THEREOF

An optoelectronic semiconductor unit (31) is specified comprising at least one optoelectronic semiconductor device (11) and at least one optoelectronic semiconductor component (1), wherein the optoelectronic semiconductor component (1) is arranged on a mounting area (12A) of a substrate (12) of the...

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Hauptverfasser: KRAFT, Jochen, GHASEMI AFSHAR, Farhang, KLAFTA, Thomas, SIDOROV, Victor
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:An optoelectronic semiconductor unit (31) is specified comprising at least one optoelectronic semiconductor device (11) and at least one optoelectronic semiconductor component (1), wherein the optoelectronic semiconductor component (1) is arranged on a mounting area (12A) of a substrate (12) of the optoelectronic semiconductor device (11), and alignment portions (3) of the optoelectronic semiconductor component (1) and positioning portions (15) of a positioning structure (14) of the optoelectronic semiconductor device (11) engage with one another, wherein the substrate (12) comprises an end layer (21) and the positioning structure (14) is formed at least partially from the end layer (21). Moreover, a method for producing an optoelectronic semiconductor unit (31) is specified. L'invention concerne une unité semi-conductrice optoélectronique (31) comprenant au moins un dispositif semi-conducteur optoélectronique (11) et au moins un composant semi-conducteur optoélectronique (1), le composant semi-conducteur optoélectronique (1) étant disposé sur une zone de montage (12A) d'un substrat (12) du dispositif semi-conducteur optoélectronique (11), et des parties d'alignement (3) du composant semi-conducteur optoélectronique (1) et des parties de positionnement (15) d'une structure de positionnement (14) du dispositif semi-conducteur optoélectronique (11) étant en prise l'une avec l'autre, le substrat (12) comprenant une couche d'extrémité (21) et la structure de positionnement (14) étant formée au moins partiellement à partir de la couche d'extrémité (21). L'invention concerne en outre un procédé de production d'une unité semi-conductrice optoélectronique (31).